半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361847
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203363
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタと補助容量とを有する半導体装置。【解決手段】前記半導体装置は、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及びP型またはN型の導電型を有する半導体膜からなる薄膜トランジスタと、前記半導体膜を一方の電極とし、ゲイト配線を他方の電極とした補助容量とから構成されている。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと補助容量とを有する半導体装置において、前記薄膜トランジスタは、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及びP型またはN型の導電型を有する半導体膜を有し、前記補助容量は、前記半導体膜を一方の電極とし、ゲイト配線を他方の電極とし、前記ゲイト絶縁膜を誘電体とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 , H01L 21/265 , H01L 21/28 , H01L 27/08 331 , H01L 21/336 , G02F 1/1368

FI (10件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 602 C , H01L 21/265 602 B , H01L 21/28 J , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 F , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭59-132674
特開平4-219736
特開平2-140915

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