エネルギービーム露光方法および露光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151312
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347192
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】XY方向でビームのぼけ量が異なるCP方式の露光装置を用いて、試料上にパターンを高精度に転写すること。【解決手段】XY方向における電子ビームのぼけ量(S2)の違いによる形状補正を取り入れてCPアパーチャマスクを作成し(S9)、該CPアパーチャマスクを用いて試料上にパターンをCP露光する。露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、X方向のぼけ量を小さくY方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とX方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。

請求項（抜粋）：

第1の方向におけるエネルギービームのぼけ量および前記第1の方向とは異なる第2の方向における前記エネルギービームのぼけ量との間の大小関係を制御できるエネルギービーム露光装置を用い、前記第1および第2の方向の一方の方向におけるエネルギービームのぼけ量を他方の方向におけるエネルギービームのぼけ量よりも小さく設定した状態で、該エネルギービーム露光装置内の試料上にパターンを露光する露光方法であって、前記第1および第2の方向における前記エネルギービームのぼけ量の大小関係を調整する工程と、前記試料上に露光する前記パターンと、前記第1および第2の方向における前記エネルギービームのぼけ量の大小関係とに基づいて、前記エネルギービーム露光装置内における前記試料の向きを調整する工程と、前記第1および第2の方向における前記エネルギービームのぼけ量の違いによる前記パターンの形状補正を取り入れて、前記試料上に前記パターンを露光する工程とを含むことを特徴とするエネルギービーム露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504

FI (5件)：

G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 541 M , H01L 21/30 541 E , H01L 21/30 541 J

Fターム (21件)：

2H097AA12 , 2H097BA01 , 2H097BB01 , 2H097BB03 , 2H097CA06 , 2H097CA16 , 2H097GB01 , 2H097JA02 , 2H097LA10 , 5F056AA06 , 5F056CA05 , 5F056CB40 , 5F056CC09 , 5F056CC11 , 5F056CD12 , 5F056CD13 , 5F056CD15 , 5F056CD20 , 5F056EA05 , 5F056EA06 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

被転写媒体の製造方法、被転写パターン形成プログラムを記憶した記憶媒体、及び半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-082635 出願人：株式会社ニコン
露光パターンデータの生成方法と荷電ビーム露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-075066 出願人：株式会社東芝
荷電粒子ビーム露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-262166 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る