特許
J-GLOBAL ID：200903064181527408
反応性スパッタ方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150301
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041636
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：
【要約】【目的】 反応性スパッタ法におけるアーク発生を防止する。【構成】 直流スパッタ時にターゲットに正電圧のパルスを印加して逆バイアスを生成させる。それによりターゲット上の絶縁堆積層を同じ逆バイアスレベルに帯電させ、その結果、負のスパッタ電圧をターゲットに印加したときに、絶縁堆積層が優先的にスパッタされて除去される。この逆バイアスパルスは低い動作周期すなわちパルス幅1〜3マイクロ秒、パルスレート約40〜100kHzで印加する。
請求項（抜粋）：
プラズマチャンバ内で、導電性ターゲットをスパッタしてターゲット材料を放出させ、該チャンバ内の反応性ガスと反応させ、生成した化合物を基材上に堆積させる反応性スパッタ方法であって、該ターゲットと該チャンバ内のアノードとの間に、該ターゲットから該ターゲット材料の原子を解放するのに十分なエネルギーで貴ガスイオンを該ターゲットに衝突させるレベルの直流電圧を印加する工程、および該反応性ガスを該チャンバ内に導入して該ターゲット材料の解放された原子と反応させる工程を含み、該直流電圧を印加する工程において、該アノードを基準として所定レベルの負の電圧を該ターゲットに印加し、且つ該アノードを基準として正の電圧のパルスを所定パルスレートおよび所定パルス幅で周期的に該ターゲットに印加することにより、該ターゲット上に堆積している該化合物の蓄積層を、該化合物の分子を該ターゲットから解放するのに十分なエネルギーを持つ該貴ガスイオンで叩く反応性スパッタ方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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