特許
J-GLOBAL ID：200903064182617320

気体透過性の坩堝壁面によるAlN単結晶の製造方法と装置

発明者：
ラスプ、ミヒァエル

ラスプ、ミヒァエル について

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シュミット、エルヴィン

シュミット、エルヴィン について

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シュトラウビンガー、トーマス

シュトラウビンガー、トーマス について

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フォーゲル、ミヒァエル

フォーゲル、ミヒァエル について


出願人/特許権者：
エスアイクリスタル アクチエンゲゼルシャフト

エスアイクリスタル アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521518
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500664
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
本発明は、AlN単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝(10)の貯蔵領域(12)内にあるAlN供給材料(30)の一部から生成する。AlN単結晶(32)を坩堝(10)の結晶領域(13)内で気相から成長させる。少なくとも1つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の1つは、坩堝(10)の内部帯域(15)と、坩堝(10)の外部帯域(11)との間で、特に2方向に拡散することができる。図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、 a)坩堝(10)の貯蔵領域(12)内にあり、AlN単結晶の少なくとも1成分を含有する(供給材料)(30)の少なくとも一部から気相を生成し、 b)該気相から、AlN単結晶(32)を坩堝(10)の結晶領域(13)内で成長させることにより生成する 少なくとも1つのAlN単結晶(32)の製造方法において、 c)少なくとも1つのガス状成分を、一時的に坩堝(10)の外部帯域(15)と坩堝(10)の内部帯域(11)との間で第1の拡散(27)により移転させる ことを特徴とする少なくとも1つのAlN単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/08
FI (2件)：
C30B29/38 C ,  C30B25/08
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DB06 ,  4G077DB21 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG02 ,  4G077EG24 ,  4G077EG25 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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