特許
J-GLOBAL ID：200903064185843150
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259996
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068981
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】大電流からゲート側を保護することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板1の上にN-ドリフト層2と第1のゲート層(P+層)3とN+ソース層4とが順に積層され、トレンチ5の内壁部にN-チャネル層6が形成されるとともにその内方に第2のゲート層(P+層)7が形成されている。ソース層4と第1のゲート層3とを貫通してドリフト層2に達するトレンチ20内にP+不純物層21が形成され、不純物層21の内方において電極22a,22bが配置され、この電極22a,22bは接地され、ワンチップ内にサージ吸収用ダイオードD1を作り込んでいる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のSiC基板(1)の上に、SiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、SiCよりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、SiCよりなる第1導電型のソース層(4)とが順に積層されるとともに、前記ソース層(4)と第1のゲート層(3)とを貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(5)が形成され、さらに、このトレンチ(5)の内壁部にSiCよりなる第1導電型のチャネル層(6)が形成されるとともにその内方にSiCよりなる第2導電型の第2のゲート層(7)を形成した炭化珪素半導体装置において、ワンチップ内にサージ吸収用ダイオード(D1,D2,D3,D4,D5)を作り込んだことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/095
, H01L 21/06
, H01L 21/337
, H01L 21/8232
, H01L 29/808
, H01L 29/872
H01L 29/80 E
, H01L 29/80 C
, H01L 27/06 F
, H01L 29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD16
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104FF22
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG11
, 4M104HH20
, 5F102FA01
, 5F102GA14
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD04
, 5F102GL02
, 5F102GM02
, 5F102GM08
, 5F102GN02
, 5F102GR04
, 5F102GS03
, 5F102GV07
, 5F102HA13
, 5F102HC01
