特許

J-GLOBAL ID：200903029636697617

半導体サージ吸収素子並びにそれを用いた電気・電子機器及びパワーモジュール

発明者： 八尾 勉 ,  岩崎 貴之 ,  小野瀬 秀勝 ,  木村 新
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262698
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091596
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】サージ耐量が大きく、繰り返し動作可能な半導体サージ吸収素子を実現する。【解決手段】半導体基板材料としてワイドバンドギャップ半導体単結晶を適用し、サージ吸収動作開始電圧をpn接合のパンチスルーにより設定する。【効果】電気・電子機器が小型化かつ低損失化される。

請求項（抜粋）：

バンドギャップエネルギーが2.0eV 以上の半導体単結晶を半導体材料とし、第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層とpn接合を形成する第2半導体層と、前記第1半導体層と他のpn接合を形成する第3半導体層と、を有する半導体基体と、前記第2半導体層と接触する電極と、前記第3半導体層と接触する他の電極と、を備え、前記pn接合及び前記他のpn接合のそれぞれにおいて、パンチスルー電圧がアバランシェ電圧よりも低いことを特徴とする半導体サージ吸収素子。

引用特許：

出願人引用 (3件)

• サージ吸収素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243448   出願人：柿原良亘
• サージ防護デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100233   出願人：工業技術院長, 株式会社サンコーシヤ, 青梅コスモス電機株式会社
• 多端子サージ防護デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-144879   出願人：株式会社サンコーシヤ, 株式会社オプトテクノ

審査官引用 (3件)

• サージ吸収素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243448   出願人：柿原良亘
• サージ防護デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100233   出願人：工業技術院長, 株式会社サンコーシヤ, 青梅コスモス電機株式会社
• 多端子サージ防護デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-144879   出願人：株式会社サンコーシヤ, 株式会社オプトテクノ