特許
J-GLOBAL ID:200903064206213640

セラミック電子部品及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 阿部 美次郎 ,  武井 義一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-293198
公開番号(公開出願番号):特開2008-112759
出願日: 2006年10月27日
公開日(公表日): 2008年05月15日
要約:
【課題】めっき液侵入によるIR劣化を回避するとともに、端子電極の膜厚を一定化し、外形形状を規格内に収めるとともに、ツームストーン現象の発生を防止し得るセラミック電子部品を提供すること。【解決手段】セラミック基体1は六面体であり、内部電極層31、32は、セラミック基体1の内部に埋設され、少なくとも一端が、セラミック基体1の側面に導出されている。端子電極21、22は、内部電極層31、32の一端が導出された側面11、12、及び、側面11、12に隣接する4つの面13〜16に連続して形成されている。側面11、12と面13〜16とが交差する角部の最小厚みR、角部から面13〜16上における先端までの長さB、及び、端子電極を含む素体長手方向の長さをLは、20.5×10-2≦B/L≦28.5×10-2、及び、0.61×10-2≦R/L≦0.98×10-2を満たす。【選択図】図2
請求項(抜粋):
セラミック基体と、内部電極層と、端子電極とを含むセラミック電子部品であって、 前記セラミック基体は、六面体であり、 前記内部電極層は、前記セラミック基体の内部に埋設され、少なくとも一端が、前記セラミック基体の側面に導出されており、 前記端子電極は、前記内部電極層の一端が導出された前記側面、及び、前記側面に隣接する4つの面に連続して形成されており、更に、前記側面と前記4つの面とが交差する角部の最小厚みをRとし、前記角部から前記4つの面上における先端までの長さをBとし、端子電極を含む素体長手方向の長さLは、 20.5×10-2≦B/L≦28.5×10-2、及び、 0.61×10-2≦R/L≦0.98×10-2 を満たす セラミック電子部品。
IPC (3件):
H01G 4/252 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (3件):
H01G1/14 V ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/30 301B
Fターム (13件):
5E001AB03 ,  5E001AF03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ03 ,  5E082AB03 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082GG01 ,  5E082GG10 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082LL01
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
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