特許
J-GLOBAL ID：200903064212793438
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126137
公開番号（公開出願番号）：特開平10-320989
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 仮想グランド型EEPROMにおいて、従来必要であったオフセットトランジスタを廃止して、専有面積を小さくする。【解決手段】 メモリセルにデータをプログラムするためのプログラム手段を設け、このプログラム手段は同一列のメモリセルへのプログラムが終了すると隣の列のメモリセルのプログラムを行い、さらに、メモリセルへのプログラムは一端側のメモリセルから他端側に向かって行うようプログラム制御を行う。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート、コントロールゲート、ドレイン、ソース、及びチャネル領域を有し、前記フローティングゲート中の電荷の量によってデータを記憶するメモリセルを、行方向及び列方向のマトリクス状に配列し、同一行のメモリセルのコントロールゲートを接続した行線と、隣り合うメモリセルのドレイン及びソースを共用するとともに同一列の前記ドレイン及びソースを接続した列線とを有するメモリセルアレイと、アドレス信号が入力され前記行線を選択する行デコーダと、アドレス信号が入力され前記列線を選択する列デコーダと、前記メモリセルにデータをプログラムするためのプログラム手段とを具備し、前記プログラム手段による前記メモリセルへのデータのプログラムは、同一列のメモリセルへのプログラム終了後、隣の列のメモリセルのプログラムを行い、前記メモリセルへのデータのプログラムは前記メモリセルアレイの一端の列から開始するように制御されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (5件)：
G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 622 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
