特許
J-GLOBAL ID：200903064244288298
アクティブマトリックスディスプレイとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-534601
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505602
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】アクティブマトリックスディスプレイ(10)を含むトランジスタを組み込んだマトリックス装置の欠陥を減らし、性能を強化するための反転ゲート薄膜マトリックストランジスタ(46)を含む、改良された多層マトリックスライン(34)。反転ゲートラインは、ゲート構造のための、第1底部耐熱層(124)、アルミニウム層(126)、第2耐熱層(128)のパターン付けの前に、順次蒸着された多層金属構造内に形成される。アルミニウム層は、段差カバレッジ問題を防ぐためにゲート近傍で陽極処理される。多層ゲート構造を使ってアクティブマトリックスディスプレイストレージコンデンサー(50)を形成すれば更に改良できる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1耐熱金属層を形成し、前記第1層の上にアルミニウム層を形成 し、前記アルミニウム層の上に第2耐熱金属層を形成することを含む、絶縁基 板上に多層ゲートを形成することと、前記ゲートを形成するために前記第2耐 熱金属層をパターン付けすることと、続く層における段差カバレッジ問題を防 ぐために前記アルミニウム層を陽極処理することと、前記第1耐熱金属層を陽 極処理することを特徴とする、改良された反転ゲート薄膜マトリックストラン ジスターを製造する方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1365
, G09F 9/30 338
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 L
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 617 W
, G02F 1/136 500
