特許

J-GLOBAL ID：200903064268223286

エッチング処理装置およびエッチング処理方法

発明者： 森岡 なつよ ,  玉置 研二 ,  鹿子嶋 昭 ,  白石 大輔 ,  吉開 元彦 ,  田中 潤一 ,  幾原 祥ニ ,  山本 秀之
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282164
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119753
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】エッチング処理条件を微調整して、パターン完成寸法のばらつきを押さえつつ所望の完成寸法を得る。【解決手段】エッチング処理状態をモニタするセンサと、センサからの出力と処理結果の予測式から処理結果を推定する処理結果推定モデルと、その推定結果をもとに処理結果が目標値となるような処理条件を計算する処理条件計算モデルを備え、ポリシリコンを用いた半導体試料に対してエッチング処理を行なう場合、処理条件のうち少なくとも酸素または圧力の一方または両方について前記処理条件計算モデル基づいて設定値を計算して次のエッチング処理を行なう。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

ポリシリコンを用いた半導体試料に対してエッチング処理を行う際、エッチング処理を制御するパラメータのうち少なくとも酸素流量または圧力またはその両方の値を変化させることによりエッチング加工量を制御することを特徴とするエッチング処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 A

Fターム (7件)：

5F004AA01 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-303675   出願人：松下電器産業株式会社
• エッチング処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-174616   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ハイテクノロジーズ
• プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229469   出願人：富士通株式会社
• プラズマ利用機器の制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331092   出願人：株式会社日立製作所