特許

J-GLOBAL ID：200903064277820750

スパッタリングターゲット及び透明導電膜

発明者： 矢野 公規 ,  井上 一吉 ,  田中 信夫
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-271665
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084842
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】 抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高く、インジウム含有量が低減されており、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、X線回折(XRD)によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、X線回折(XRD)によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A

Fターム (22件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ITOスパッタリングターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-222374   出願人：東ソー株式会社

審査官引用 (4件)

• 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-245322   出願人：出光興産株式会社
• 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-336865   出願人：アルプス電気株式会社, エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
• スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058385   出願人：出光興産株式会社
• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-134189   出願人：株式会社日立製作所