特許

J-GLOBAL ID：200903064359129037

発光素子

発明者： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア
出願人/特許権者： 株式会社光波
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210864
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032739
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 結晶品質の高いGaN系化合物薄膜を得ることにより発光効率を高めた発光素子を提供する。【解決手段】 この発光素子10は、β-Ga2O3単結晶からなるn型導電性を示すGa2O3基板11の上にGaNからなるGaNバッファ層12を形成し、このGaNバッファ層12の上にGaN系化合物薄膜を成長させる。Ga2O3基板11の下面は、Ga2O3基板11に接してn電極18が設けられ、最下層には、Ga2O3基板11およびn電極18を通過した発光光を発光層14側に反射する反射層19が設けられている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型導電性を示すGa2O3系化合物半導体からなる基板と、 前記基板の上に形成されたn型導電性を示すバッファ層と、 前記バッファ層の上に形成されたGaN系化合物からなるGaN系化合物薄膜とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭52-36117号公報
  

審査官引用 (3件)

• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137912   出願人：株式会社光波
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363655   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-027522   出願人：松下電器産業株式会社