特許
J-GLOBAL ID：200903064452704505
窒化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368889
公開番号（公開出願番号）：特開2001-235767
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 良好な安定性および優秀な誘電特性を持つ高品質の窒化膜を低温(225°C未満の温度)でLCD基板上に成膜することができ、プラスチックLCD基板に適した、プラズマ化学気相成長法(PECVD)を用いた窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 従来の高温(325°Cを越える温度)でのPECVDによる窒化膜の成膜とほぼ同じガス比の窒素含有ガスおよびシリコン含有ガスからなる標準的な窒化膜成膜ガスをチャンバ16内に導入すると共に、長周期型周期表の18族の第2〜6周期の元素より選ばれる少なくとも1種の希ガスの気流をチャンバ16内に導入し、PECVDを用いて窒化膜をLCD基板12上に成膜する。特に好ましい希ガスは、アルゴン(Ar)であり、他の好ましい希ガスはNe、Kr、およびXeである。これにより、NH/SiH比(FT-IRによる測定値)が3〜5の範囲内の窒化膜が得られる。
請求項（抜粋）：
プラズマ化学気相成長法を用いた、液晶ディスプレイの能動素子に使用する窒化膜の形成方法であって、a)窒化膜を成膜しようとする表面である成膜面を持つプラスチック液晶ディスプレイ基板を反応室内に置き、上記プラスチック液晶ディスプレイ基板の熱変形温度を越えない温度で上記プラスチック液晶ディスプレイ基板を加熱する工程と、b)基板を置いた同じ反応室に、ガスプラズマを発生させるのに十分なエネルギーを与えた状態で、窒素含有ガスの気流、シリコン含有ガスの気流、および長周期型周期表の18族の第2〜6周期の元素から選択される少なくとも1種の希ガスの気流を上記反応室内に導入することで、上記反応室内にガスプラズマを発生させる工程と、c) 上記工程b)で発生したガスプラズマを用いたプラズマ化学気相成長法によって上記成膜面上に窒化膜を成膜し、それにより上記成膜面上に安定な窒化膜を成膜する工程とを含むことを特徴とする窒化膜の形成方法。
IPC (6件)：
G02F 1/1368
, G02F 1/1333 500
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/318
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/1333 500
, G02F 1/1333 505
, H01L 21/318 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 619 A
