特許
J-GLOBAL ID：200903064489566811

面発光型半導体レーザ素子の製造方法および結晶成長装置、ならびにこれらを用いて形成した面発光型半導体レーザ素子、該面発光型半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システム

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について

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軸谷 直人

軸谷 直人 について

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伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について

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上西 盛聖

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出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288789
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】高品質で実用レベルのGaInNAs面発光型半導体レーザ素子の製造方法および該製造方法を実現するための結晶成長装置、これらを用いて形成した面発光半導体レーザ素子、該面発光半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムを提供する。【解決手段】半導体基板20上に、活性層を含んだ活性領域23と、活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡21,25を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子の製造方法で、活性層23は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、半導体基板20と活性層23との間に形成される下部反射鏡21は屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、活性層23はMBE法で成長し、反射鏡のうち少なくともp側の反射鏡(例えば、反射鏡25)はMOCVD法で成長する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の活性層を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有し、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡のうちの1つがp側半導体の反射鏡である面発光型半導体レーザ素子の製造方法であって、前記活性層は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくともp側半導体の反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層をMBE法で成長させ、前記反射鏡のうちの少なくともp側半導体の反射鏡をMOCVD法で成長させて、活性層と上部,下部の反射鏡を積層構造として成長させるときに、該積層構造を複数回(N回)の成長工程に分けて成長させるようになっており、その際、下地となる結晶成長層上に、次回の成長工程で次の結晶成長層を成長させることを再成長と称し(N回の成長工程では、再成長の工程数は(N-1)回となる)、下地となる結晶成長層との界面を再成長界面と称するとき、(N-1)回の再成長工程のうちの少なくとも1回の再成長工程において、再成長の開始に先立って、下地となる結晶成長層の表面の一部を臭素を含むガスでエッチング除去することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S5/183 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01S5/183 ,  H01L21/205
Fターム (26件)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB18 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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