特許
J-GLOBAL ID：200903017403677103

面発光型半導体レーザ素子の製造方法および結晶成長装置、ならびにこれらを用いて形成した面発光型半導体レーザ素子、該面発光型半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システム

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について

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軸谷 直人

軸谷 直人 について

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伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について

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上西 盛聖

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出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-029822
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142776
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 高品質で実用レベルのGaInNAs面発光型半導体レーザ素子の製造方法および該製造方法を実現するための結晶成長装置、これらを用いて形成した面発光半導体レーザ素子、該面発光半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムを提供する。【解決手段】 半導体基板20上に、活性層を含んだ活性領域23と、活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡21,25を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子の製造方法で、活性層23は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、半導体基板20と活性層23との間に形成される下部反射鏡21は屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、活性層23はMBE法で成長し、反射鏡のうち少なくともp側の反射鏡(例えば、反射鏡25)はMOCVD法で成長する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の活性層を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有し、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡のうちの1つがp側半導体の反射鏡である面発光型半導体レーザ素子の製造方法であって、前記活性層は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくともp側半導体の反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層は、MBE法で成長され、前記反射鏡のうち少なくともp側半導体の反射鏡はMOCVD法で成長されることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/183 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
FI (5件)：
H01S 5/183 ,  C30B 29/40 502 Z ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077BE48 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077EG29 ,  4G077EG30 ,  4G077HA02 ,  5F045AA05 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045HA24 ,  5F073AA07 ,  5F073AA11 ,  5F073AA22 ,  5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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