特許
J-GLOBAL ID：200903064608818859
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041151
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232264
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】半導体基板の洗浄と膜形成とを連続して行う処理装置が安価になると共に処理工程が短縮し、さらに、半導体基板の結晶欠陥が少なくなる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】アルゴンガス雰囲気で満たされた炉内に半導体基板を搬入する工程と、前記炉内にアルゴンガス、窒素ガスあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガスを導入する工程と、前記アルゴンガス、窒素ガスあるいはアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気で前記半導体基板の表面を洗浄する工程と、前記表面を洗浄した半導体基板上に所望の膜を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に所望の膜を形成する前に前記半導体基板を不活性ガス中で所定の時間熱処理し、前記半導体基板の表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/205
H01L 21/304 341 G
, H01L 21/205
