半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：豊栖康司 , 豊栖康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230835
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153617
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】光源からの出射光を効率よく半導体発光装置から取り出し、発光強度を向上させた半導体発光装置を提供する。【解決手段】キャップ本体3の上面3aのほぼ中央であって、キャップ本体3の内外と貫通した傾斜部5を形成する。傾斜部5は半導体発光素子4と対向しつつ離間して配置され、半導体発光素子4からの出射光が進行する入光部6を備える。傾斜部5の開口幅は、入光部6から光進行方向にしたがって大きくなるテーパー状をなしており、半導体発光素子4からの出射光を半導体発光装置4の外へ効率よく出射させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体発光素子(4)と、前記半導体発光素子(4)を載置する台座(14)と、前記半導体発光素子(4)からの出射光を透過する光透過体(9)及び前記光透過体(9)を支持するキャップ本体(3)を備えるキャップ(15)と、を有する半導体発光装置であって、前記半導体発光素子(4)は、前記台座(14)と前記キャップ(15)とによって封止されており、前記キャップ本体(3)は、前記半導体発光素子(4)が載置されている内側から外側に向かって広口となるように貫通孔(K)が設けられた傾斜部(5)が形成されており、かつ、前記傾斜部(5)に前記光透過体(9)が配置されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S5/022 , H01L33/00 N

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041DA03 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA63 , 5F041DA64 , 5F041DA76 , 5F041DA77 , 5F041DB06 , 5F173MB01 , 5F173MC15 , 5F173MC16 , 5F173MD84 , 5F173ME03 , 5F173ME15 , 5F173ME22 , 5F173ME32 , 5F173ME68 , 5F173ME86 , 5F173MF03 , 5F173MF12 , 5F173MF39

引用特許：

出願人引用 (3件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241449 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069037 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザー装置用キャップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-317995 出願人：新光電気工業株式会社

審査官引用 (9件)

光伝送素子モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-138164 出願人：株式会社リコー
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-276305 出願人：富士通株式会社
逆止弁
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-156658 出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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