特許
J-GLOBAL ID：200903064724628900

気相成長装置

発明者：
松本 功

松本 功 について

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阿久津 仲男

阿久津 仲男 について

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植松 邦全

植松 邦全 について

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北村 祐一郎

北村 祐一郎 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (2件)： 木戸 一彦 ,  木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291713
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108312
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 ガス導入部から反応室内に導入する原料ガス等の流れを最適化することができるとともに、ガス導入部の温度上昇を抑えて原料ガスを熱分解させずに基板上に供給することができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 円盤状の基板保持台11と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室13を形成する隔壁12と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部15と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部16と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部19と、該基板保持部に保持した基板18を加熱するヒーター21とを備えた気相成長装置において、前記基板保持台の中央部に前記基板保持部の反応室内面よりも反応室外側方向に窪ませた凹部25を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
円盤状の基板保持台と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室を形成する隔壁と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部と、該基板保持部に保持した基板を加熱する加熱手段とを備えた気相成長装置において、前記ガス導入部に対向する基板保持台の中央部に、前記基板保持部の反応室内面よりも反応室外側方向に窪ませた凹部を形成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (19件)：
4K030AA11 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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