特許
J-GLOBAL ID：200903064736343170

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
増田 肇

増田 肇 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176179
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 昇圧回路を使用する書込時及び消去のプリプログラム時又は1セルに数ビットのデータを有するメモリセルの書込動作及び消去時のプリプログラム動作において、昇圧回路の電流供給能力を十分に利用すると共に、書込動作及びプリプログラム動作を高速で実施することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセル1には、メモリセル1への書込電圧の印可を制御すると共に、メモリセルの情報を読み出すためのm個の書込・読出回路2a、・・・、2mが接続されている。また、各書込・読出回路2a、・・・、2mには、昇圧回路4及び書込時間制御回路3が接続されており、書込時間制御回路3は、各メモリセルへの書込電圧の印加タイミングを相互にずらすものである。
請求項（抜粋）：
電気的な情報を記憶する複数のメモリセルと、前記メモリセルに供給する書込電圧を発生する電圧発生回路と、各メモリセルへの書込電圧の印加を制御する書込回路と、各メモリセルへの書込電圧の印加タイミングを相互にずらす書込時間制御回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 641 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (6件)
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