特許
J-GLOBAL ID：200903096735443596
一括消去型不揮発性記憶装置とその消去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320488
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 単時間で高精度での消去動作の実現と低電圧での安定した動作を実現した一括消去型不揮発性記憶装置。【構成】 書き込み動作によって一括消去の可能な不揮発性記憶装置において、消去単位のメモリセルを読み出してフローティングゲートに電荷が蓄積されていない不揮発性素子に対してプレライトを行う第1の動作と、上記消去単位の不揮発性素子に対して一括して比較的大きなエネルギーにより比較的大きな消去基準電圧のもとに高速に消去動作を行う第2の動作と、上記消去された全不揮発性素子を読み出して比較的低いしきい値電圧にされたものに対して書き込み動作を行う第3の動作と、上記消去単位の不揮発性記憶素子に対して一括して比較的小さなエネルギーにより比較的小さな消去基準電圧のもとに低速に消去動作を行う第4の動作を順次に行う。
請求項（抜粋）：
書き込み動作によってフローティングゲートに蓄積された電荷をソース側に放出させて消去を行うようにした不揮発性素子と、かかる不揮発性記憶素子の一括消去動作において消去単位のメモリセルを読み出してフローティングゲートに電荷が蓄積されていない不揮発性素子に対してプレライトを行う第1の動作と、上記消去単位の不揮発性素子に対して一括して比較的大きなエネルギーにより比較的大きな消去基準電圧以下となるよう消去動作を行う第2の動作と、上記消去された全ての不揮発性素子を読み出して比較的低いしきい値電圧にされたものに対して浅い書き込み動作を行う第3の動作と、上記消去単位の不揮発性記憶素子に対して一括して比較的小さなエネルギーにより比較的小さな消去基準電圧以下となるよう消去動作を行う第4の動作を順次に行う自動消去回路を備えてなることを特徴とする一括消去型不揮発性記憶装置。
引用特許：
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