特許

J-GLOBAL ID：200903064761461226

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： 深澤 元彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-175323
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012024
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器について、信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)半導体基板における集積回路が形成された第1の面に、第1の樹脂層を形成すること、(b)半導体基板を、第1の面とは反対の第2の面からの一部を除去して薄くすることによって、第2の面からの突出部を有する貫通電極を形成すること、(c)半導体基板の第2の面に、突出部を避けて、第2の樹脂層を形成すること、を含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板における集積回路が形成された第1の面に、第1の樹脂層を形成すること、 (b)前記半導体基板を、前記第1の面とは反対の第2の面からの一部を除去して薄くすることによって、前記第2の面から突出する第2の突出部を有する貫通電極を形成すること、 (c)前記半導体基板の前記第2の面に、前記第2の突出部の表面の少なくとも一部を露出させて第2の樹脂層を形成すること、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L25/065 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3205 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/88 T ,  H01L21/78 L

Fターム (35件)：

5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033NN16 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ51 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063650   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001738   出願人：富士通株式会社
• 半導体基板セグメント及びその製造方法並びに該セグメントを積層して成る積層半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-337974   出願人：東レエンジニアリング株式会社, 株式会社フジクラ