特許
J-GLOBAL ID：200903042217010306

半導体基板セグメント及びその製造方法並びに該セグメントを積層して成る積層半導体基板及びその製造方法

発明者：
神原 健二

神原 健二 について

, 
山本 敏

山本 敏 について


出願人/特許権者：
東レエンジニアリング株式会社

東レエンジニアリング株式会社 について

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株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337974
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172453
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】三次元積層に好適な半導体基板セグメント及びその製造方法並びに該セグメントを積層して成る積層半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板2のデバイス埋設側にデバイス3、感光性絶縁層4および配線5が設けられていると共に、基板端部側に第1の貫通微細導電体6が設けられている。また、デバイス電極と第1の貫通微細導電体6とが配線5により接続されている。さらにデバイス非埋設側の2bには、第1の貫通微細導電体6の先端である接続端6aが所定長さ突出すように形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一面側に埋設されたデバイスの周辺部に第1の貫通微細孔のみを形成した半導体基板のデバイス埋設側の面上に感光性絶縁層を形成すると共に、前記半導体基板のデバイス非埋設側の面上に第1の感光性レジスト層を形成する被覆層形成工程と、フォトマスクを用いて前記第1の感光性レジスト層側から紫外光を照射して前記第1の感光性レジスト層に前記第1の貫通微細孔と連通したペースト充填用微細孔を形成すると共に、前記ペースト充填用微細孔から前記第1の貫通微細孔に導電性ペーストを充填し、且つ半硬化させて第1の貫通微細導電体を形成した後、前記感光性絶縁層上に第2の感光性レジスト層を形成する導電体形成工程と、フォトマスクを用いて前記第2の感光性レジスト層側から紫外光を照射して、前記第2の感光性レジスト層に配線形成用開口パターンを形成すると共に、前記感光性絶縁層に前記デバイスの電極に連通する第1の配線接続用微細孔と前記第1の貫通微細導電体に連通する第2の配線接続用微細孔とを形成する開口パターン形成工程と、導電性金属を前記配線形成用開口パターンと前記第1の配線接続用微細孔および第2の配線接続用微細孔とにメッキして前記デバイスの電極と前記第1の貫通微細導電体とに接続された配線を形成した後、前記第1の感光性レジスト層および第2の感光性レジスト層の残存を除去し、前記第1の感光性レジスト層の除去によって前記第1の貫通微細導電体の一端を露出させて接続端を形成する配線形成工程とを備えたことを特徴とする半導体基板セグメントの製造方法。
IPC (3件)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52
FI (3件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/88 J ,  H01L23/52 C
Fターム (9件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033MM30 ,  5F033PP27 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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