特許
J-GLOBAL ID：200903064773842314

薄膜形成方法

発明者：
町田 克之

町田 克之 について

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佐藤 昇男

佐藤 昇男 について

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久良木 億

久良木 億 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305192
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 より多種に渡る材料を用いて転写による平坦化法を実現できるようにする。【解決手段】 薄膜形成装置110内で、シートフィルム101上に塗布した塗布膜102をある程度乾燥させて乾燥膜102aとした後、乾燥膜102aと配線パターン104形成面とが向かい合うようにし、シートフィルム101に基板103を当接させて押しつける。
請求項（抜粋）：
基材上に第1の状態の薄膜を形成する第1の工程と、前記基材を所定の真空度に真空排気された雰囲気中で所定温度に加熱し、前記薄膜を第2の状態とする第2の工程と、前記基材の前記薄膜形成面を基板表面に当接させる第3の工程と、前記基材と前記基板との間に圧力を加える第4の工程と、前記基材を前記薄膜より剥離し、前記第2の状態の薄膜が前記基板上に形成された状態とする第5の工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H05K 3/46
FI (2件)：
H01L 21/312 A ,  H05K 3/46 B
Fターム (13件)：
5E346AA12 ,  5E346CC10 ,  5E346CC34 ,  5E346DD02 ,  5E346DD17 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346GG02 ,  5E346HH11 ,  5F058BA20 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭60-182138
  • 特開昭60-182138
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-280891   出願人：ソニー株式会社
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