特許
J-GLOBAL ID：200903064779864620
歪み量及び層厚変調型多重量子井戸構造を備える半導体レーザ素子および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084999
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284795
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 キャリアあふれ現象の発生を抑えてしきい値電流特性を改善し、キャリア注入効率を改善し、安定な発光波長が得られる多重量子井戸構造の半導体レーザ素子および製造方法を提供する。【解決手段】 複数の量子井戸層QW1〜QW4からなる活性領域Actを挟むp型クラッド層Cd1およびn型クラッド層Cd2を有し、各量子井戸層QW1〜QW4は隣接するクラッド層Cd1、Cd2又は/およびバリアー層間でポテンシャル障壁ΔEc1〜ΔEc4を形成するもので、各量子井戸層QW1〜QW4内のキャリアの量子化準位μ1〜μ4とポテンシャル障壁ΔEc1〜ΔEc4との差が所定値になるよう各量子井戸層QW1〜QW4の歪量ε1〜ε4が形成、または歪量ε1〜ε4および層厚T1〜T4が形成される。
請求項（抜粋）：
活性領域および該活性領域を挟むp型クラッド層およびn型クラッド層を有し、前記活性領域が複数の量子井戸層からなり、前記各量子井戸層は隣接する前記クラッド層又は/およびバリアー層間でポテンシャル障壁を形成する多重量子井戸構造である半導体レーザ素子であって、前記各量子井戸層内のキャリアの量子化準位と前記ポテンシャル障壁との差が所定値になるよう前記各量子井戸層の歪量が形成、または歪量および層厚が形成されたことを特徴とする多重量子井戸構造を備える半導体レーザ素子。
引用特許：
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