特許
J-GLOBAL ID:200903064785087104
発光ダイオードアレイ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-128816
公開番号(公開出願番号):特開2000-323750
出願日: 1999年05月10日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】 活性層で発生した光を効率良く取り出す構造にすることにより、高出力発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 基板1上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割された複数個の発光ダイオード部20を有する発光ダイオードアレイにおいて、発光ダイオード部20の表面に形成される発光部12の両側にその発光ダイオード部20に電圧を印加するカソード用コンタクト電極10とアノード用コンタクト電極15を形成して、上記発光部12の発光面直下に電流経路18が形成されるようにする。
請求項(抜粋):
基板上に複数の結晶層を積んだエピタキシャル層が形成され、メサエッチング溝により分割された複数個の発光ダイオード部を有する発光ダイオードアレイにおいて、発光ダイオード部の表面に形成される発光部の両側にその発光ダイオード部に電圧を印加するカソード用コンタクト電極とアノード用コンタクト電極を形成すると共に上記発光部の発光面直下に電流経路を形成したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (4件):
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
FI (3件):
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
, B41J 3/21 L
Fターム (10件):
2C162FA17
, 2C162FA23
, 2C162FA50
, 5F041AA03
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA74
, 5F041CB01
, 5F041CB25
, 5F041FF13
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開昭63-278285
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-034611
出願人:京セラ株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-038198
出願人:シャープ株式会社
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-280692
出願人:昭和電工株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-253950
出願人:日本電装株式会社
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発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-114828
出願人:株式会社リコー
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発光素子構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-180118
出願人:三菱電線工業株式会社
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特開平4-229665
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-068797
出願人:シャープ株式会社
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