ビーム放射半導体素子およびその作製方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572649
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521498
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

本発明に記載されているのは、改善されたビーム発生量を有するビーム放射半導体素子ならびにその作製方法である。この半導体素子は、多層構造体(2)内でビームを形成する活性層(3)を備える多層構造体(2)と、第1および第2の主面を備える窓(1)を有する。この多層構造体は、窓(1)の第1の主面(5)に接している。窓(1)には第2の主面(6)側から少なくとも1つの切欠き部が形成され、これによってビーム発生量を高められる。この切欠き部は、有利には第1の主面(5)に向かって先細りする台形状の断面を有しており、例えば窓を切り込むことによって作製可能である。

請求項（抜粋）：

ビーム放射半導体素子であって、該ビーム放射半導体素子は、多層構造体(2)と、該多層構造体(2)内でのビーム形成に使用される活性層(3)と、該活性層(3)に電気接続される電気的なコンタクト(9a,b,10)と、ビーム透過性の窓(1)とを有しており、該窓は、第1の主面(5)および該第1の主面(5)とは反対側の第2の主面(6)を有しており、該第1の主面(5)によって前記多層構造体(2)に接している形式のビーム放射半導体素子において、前記窓(1)に前記の第2の主面(6)から少なくとも1つの溝状またはくぼみ状の切欠き部(4)が形成されており、該切欠き部により、前記窓(1)からのビームの出力結合が増大されることを特徴とするビーム放射半導体素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 M , H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA04 , 5F041CA12 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA43 , 5F041DA04 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (8件)

放射線を発する半導体デバイス、その製造方法及び放射線を発する光学素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-560457 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
特開平3-227078
光電変換器およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-146015 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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