GaN系化合物半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161848
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354845
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】消費電力が小さくて用途に応じた適正な発光輝度が得られしかも薄型化が可能なGaN系化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 n型不純物をドープしたGaNを素材とする基板1の一面側にn電極5を形成し、他面側にGaNのn型層2,活性層3及びGaNのp型層4を順に積層するとともにp型層4の上にp電極6を形成し、型層4の表面から活性層3を貫いてn型層2の上端の内部まで達する深さを持ち且つ平面形状が閉じた環を形成する溝7を設け、この溝7に囲まれた部分をメサ8とするとともにこのメサ8の表面にp電極6を導通配置する。

請求項（抜粋）：

n型不純物をドープしたGaNを素材とする基板と、この基板の一面側に形成したn電極と、前記基板の他面側に順に積層したGaNのn型層,活性層及びGaNのp型層と、このp型層の上に形成したp電極とを備え、前記p型層の表面から前記活性層を貫いて前記n型層の上端の内部まで達する深さを持ち且つ平面形状が閉じた環を形成する溝を設け、この溝に囲まれた部分をメサとするとともにこのメサの表面に前記p電極を導通配置してなるGaN系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

3族窒化物半導体基板及び素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-150270 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-267373 出願人：株式会社東芝
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-294547 出願人：日本電気株式会社

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