特許
J-GLOBAL ID:200903064901580425
ガス処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-092503
公開番号(公開出願番号):特開2000-286328
出願日: 1999年03月31日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハを回転させながら処理ガスにより処理するにあたり、載置部により基板をほぼ全面で保持できかつ搬送部との間で基板を受け渡しできるようにすること。【解決手段】 処理室2の内周に沿って設けられたリング部41と、このリング部41の周方向3等分位置に、外部からの搬送ア-ムの進退領域が形成されるように設けられた逆L字型のウエハ支持部42とを備えたトレ-を用い、このトレ-4を処理室2の内壁で支持する。一方、昇降、回転自在で、リング部41の内周よりもわずかに小さい載置部3を前記トレ-の下方側から上昇させ、トレ-4上のウエハWを受け取ると共に、ウエハ支持部42を載置部3の表面の溝部34内に入り込ませることによりウエハWをほぼ全面で支持する。
請求項(抜粋):
処理室内に搬送部により搬入され、ほぼ水平に支持された基板に対してガスを供給しながら処理を行うガス処理装置において、基板をほぼ水平に支持し、前記搬送部の進退領域が形成されたトレ-と、前記処理室に設けられ、前記トレ-を支持するためのトレ-支持部と、前記トレ-の下方側で待機し、前記基板のほぼ全面を支持する載置部と、この載置部を昇降させ、また鉛直軸の回りに回転させるための駆動部と、を有し、前記搬送部により基板を前記トレ-に受け渡した後、前記載置部を上昇してトレ-及び基板を支持し、載置部を回転させながら基板に対して処理を行うことを特徴とするガス処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/68
, B01J 19/00
, C23C 16/458
, H01L 21/205
, H01L 21/22 501
, H01L 21/26
FI (6件):
H01L 21/68 N
, B01J 19/00 K
, C23C 16/458
, H01L 21/205
, H01L 21/22 501 G
, H01L 21/26 Q
Fターム (41件):
4G075AA24
, 4G075BA02
, 4G075BD03
, 4G075BD14
, 4G075DA02
, 4G075EA02
, 4G075EB01
, 4G075EC01
, 4G075ED01
, 4G075ED08
, 4G075FB02
, 4K030EA06
, 4K030GA06
, 4K030GA12
, 4K030KA45
, 5F031CA02
, 5F031DA13
, 5F031FA01
, 5F031FA12
, 5F031HA05
, 5F031HA16
, 5F031HA24
, 5F031HA58
, 5F031HA59
, 5F031MA28
, 5F031MA30
, 5F045AA06
, 5F045AA20
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AD14
, 5F045DP03
, 5F045DP28
, 5F045EB02
, 5F045EK12
, 5F045EM03
, 5F045EM05
, 5F045EM06
, 5F045EM09
, 5F045EM10
, 5F045EN04
引用特許:
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