特許
J-GLOBAL ID：200903064955856370
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-362796
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164364
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止後の基板をダイシング用のステージに確実に支持して的確なダイシングを可能とする。【解決手段】 基板10にマトリクス状に多数個の半導体素子を搭載し、基板10を一括して樹脂封止した後、ダイシングにより基板を個片に切断して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記基板10を樹脂封止した後、基板の樹脂封止部12から延出して露出する部位を除去し、前記樹脂封止部12を支持面として前記樹脂封止後の基板10をダイシング用のステージ20に支持し、前記基板10及び樹脂封止部12を半導体装置の個片領域14aに合わせてダイシングすることにより個片の半導体装置を得る。
請求項（抜粋）：
基板にマトリクス状に多数個の半導体素子を搭載し、基板を一括して樹脂封止した後、ダイシングにより基板を個片に切断して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記基板を樹脂封止した後、基板の樹脂封止部から延出して露出する部位を除去し、前記樹脂封止部を支持面として前記樹脂封止後の基板をダイシング用のステージに支持し、前記基板及び樹脂封止部を半導体装置の個片領域に合わせてダイシングすることにより個片の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 R
, H01L 21/78 L
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB13
