特許

J-GLOBAL ID：200903065021377104

液処理装置

発明者： 谷山 博己 ,  西 寛信
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135224
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319910
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 基板の周縁を、デバイス作成領域に悪影響を及ぼすことなく処理し、かつ、処理する周縁の幅を微細に制御できる液処理装置を提供する。【解決手段】 基板の一方の面側から基板周縁に薬液を噴射し、他方の面側の周縁に薬液を回り込ませる。回り込ませた薬液により、基板周縁を処理するとともに、該基板の他方の面側に備えられた回り込み制御部材により、基板の処理幅を制御する。

請求項（抜粋）：

被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体の一方の面側に配置され、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、かつ、回転させている状態で、該被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の面の周縁部に所定の処理を施すための処理液を供給する処理液供給手段と、前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処理液供給手段により供給された処理液の、前記被処理体の他方の面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑制手段とを備えることを特徴とする液処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 643 ,  B08B 3/02 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/304 643 A ,  B08B 3/02 C ,  H01L 21/30 577

Fターム (14件)：

3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BB23 ,  3B201BB33 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB11 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  3B201CD11 ,  5F046JA15 ,  5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 処理方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-233456   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 特開平3-034207
  
• 半導体基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214422   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 角形基板の洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-209690   出願人：東京応化工業株式会社