特許

J-GLOBAL ID：200903065059991132

磁気記憶装置

発明者： 西 山 勝 哉 ,  斉 藤 好 昭 ,  岸 達 也 ,  高 橋 茂 樹 ,  天 野 実 ,  與 田 博 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339468
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141873
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 磁化自由層の磁化緩和に伴う出力低下を可及的に抑制することを可能にし、誤動作が生じるのを抑制することを可能にする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子61を有する記憶セル60を複数個備えた記憶セルアレイ2を有する磁気記憶装置において、記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えている。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子を有する記憶セルを複数個備えた記憶セルアレイを有する磁気記憶装置において、前記記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051320   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-049300
  
• 不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295056   出願人：日本電気株式会社
• 熱による劣化が起こる十分に高密度に記録されたデータをリフレッシュするための回路及びその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-233891   出願人：コマッグ・インコーポレイテッド
• 情報リフレッシュ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-020845   出願人：富士通株式会社
• 強磁性体不揮発性メモリおよびそのリフレッシュ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119965   出願人：キヤノン株式会社