マイクロ波プラズマ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤元亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119002
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311798
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、マイクロ波による高真空ポンプの動作制御不良を防止視して高真空ポンプによる均一な排気を実現するマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】本発明のマイクロ波プラズマ装置は、処理室に固定されて、マイクロ波源から導入されるマイクロ波の高真空ポンプへの侵入を防止するマイクロ波阻止部材を有する。

請求項（抜粋）：

被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記処理室に接続されて当該処理室に前記所定のプラズマ処理に使用されるマイクロ波を供給するマイクロ波源と、前記処理室に設けられた高真空ポンプと、前記処理室に固定されて前記高真空ポンプへの前記マイクロ波の侵入を防止するマイクロ波阻止部材とを有するプラズマ装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (6件)：

H05H 1/46 B , C23C 16/50 E , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Fターム (34件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030KA45 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 4K057DA02 , 4K057DD01 , 4K057DG02 , 4K057DM13 , 4K057DM29 , 4K057DM36 , 4K057DM39 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA06 , 5F004BB14 , 5F004BC08 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA05 , 5F045AA09 , 5F045AD11 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045EB08 , 5F045EB09 , 5F045EF05

引用特許：

審査官引用 (13件)

有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-071163 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321336 出願人：株式会社日立製作所
マグネトロン
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-082741 出願人：三洋電機株式会社

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