トレンチ型MOS半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352780
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168329
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】トレンチ内に設けられたMOS構造のゲートを有するトレンチ型MOS半導体装置において、活性面積を犠牲にすることなく、また耐圧特性を劣化させることなく、外周にフローティングウェルを作らない構造を提供する。【解決手段】チップ端に向かうトレンチ5の終端と、隣接するトレンチの内の一方の端とを結ぶ、大きな曲率をもつ連結部51を、pウェル領域2の中に設ける。

請求項（抜粋）：

第一導電型ドレイン層と、その第一導電型ドレイン層の一方に設けられた第二導電型ウェル領域と、第二導電型ウェル領域の表面層に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第二導電型ウェル領域を貫通し第一導電型ドレイン層に達するトレンチと、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層の他方に設けられたドレイン電極とからなるトレンチ型MOS半導体装置において、チップ端に向かうトレンチが、そのトレンチの終端と隣接するトレンチの内の一方のトレンチの終端とをつなぐトレンチ連結部を、第二導電型ウェル領域内に有することを特徴とするトレンチ型MOS半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-061389 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280543 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-017969 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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