特許
J-GLOBAL ID：200903065086290936
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116445
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306991
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 接合リーク電流が小さく、素子分離溝に寄生トランジスタが生成しないようにした、良好な半導体装置特性を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、素子分離溝により素子分離した半導体装置を製造する方法であって、シリコン基板に素子分離溝を形成するに当たり、窒化シリコン膜16をマスクにして等方性エッチング法によりシリコン基板12をエッチングし、窒化シリコン膜の溝パターンの幅より大きな溝幅で、かつ素子分離溝形成用の溝より浅い第1の溝20をシリコン基板の上層に形成する第1のエッチング工程と、窒化シリコン膜をマスクにして第1の溝20の溝底をエッチングして、第1の溝の溝底の幅と同じ溝幅の開口縁を有する第2の溝22を第1の溝の溝底に連続して形成し、第1の溝と第2の溝とからなる素子分離溝形成用の溝とする第2のエッチング工程と、素子分離溝形成用の溝に熱酸化処理を施して、溝壁に熱酸化膜を設け、溝壁を整形する熱酸化処理工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
素子分離溝により素子分離した半導体装置を製造する方法であって、シリコン基板に素子分離溝を形成するに当たり、シリコン基板上に酸化膜、次いでマスク材を成膜し、素子分離領域に対応する溝パターンを前記マスク材に開口し、前記マスク材をマスクにして酸化膜及びシリコン基板をエッチングして素子分離溝形成用の溝を形成する際、前記マスク材をマスクにして等方性エッチング法によりシリコン基板をエッチングし、前記マスク材の溝パターンの幅より大きな溝幅で、かつ素子分離溝形成用の溝より浅い第1の溝をシリコン基板に形成する第1のエッチング工程と、次いで、前記マスク材をマスクにして第1の溝の溝底をエッチングし、第2の溝を第1の溝に連続して形成して、第1の溝と第2の溝とからなる素子分離溝形成用の溝を形成する第2のエッチング工程と、素子分離溝形成用の溝に熱酸化処理を施して溝壁に酸化膜を設け、溝壁を整形する熱酸化工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (16件)：
5F032AA36
, 5F032AA37
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA49
, 5F032CA17
, 5F032DA02
, 5F032DA04
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA26
, 5F032DA33
, 5F032DA43
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA77
