特許
J-GLOBAL ID：200903078416220004
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263423
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102961
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】トレンチのコーナー部での丸み付け処理のための熱酸化の温度を低温にできるようにする。【解決手段】半導体基板の主表面から基板内部に設けられたトレンチの上部コーナー部を、シリコンあるいはゲルマニウム等の斜めイオン注入等で予め非晶質化し、上記の非晶質化後にシリコン基板表面を熱酸化し上記のトレンチの上部コーナー部を丸め酸化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面から基板内部に設けられたトレンチの上部コーナー部を予め非晶質化する工程と、前記非晶質化後に前記シリコン基板表面を熱酸化し前記トレンチの上部コーナー部を丸め酸化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/76
, H01L 21/265
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/76 L
, H01L 21/265 V
, H01L 21/265 Q
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 625 Z
