超親水性/疎水性パターン化表面、アナターゼTiO2結晶パターン及びそれらの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-180260
公開番号（公開出願番号）：特開2009-013038
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】超親水性/疎水性パターン化表面、アナターゼTiO2結晶パターン及びそれらの作製方法を提供する。【解決手段】FTO基板に、フォトマスクを介して、紫外線(UV)照射を行って形成した超親水性/疎水性パターン化表面の超親水性領域に選択的に析出させたアナターゼTiO2結晶パターン、その作製方法及び該アナターゼTiO2結晶パターンを用いた電子デバイス。【効果】超親水性領域では、TiO2の析出が促進され、一方の疎水性領域では、析出が抑制される結果、FTO基板上の親水性/疎水性パターンに沿って、アナターゼTiO2結晶パターンを形成することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に形成した超親水性/疎水性パターン化表面の超親水性領域に選択的に析出させたアナターゼTiO2結晶パターンからなることを特徴とするアナターゼTiO2結晶パターン。

IPC (4件)：

C01G 23/04 , H01M 14/00 , B01J 35/02 , H01L 31/04

FI (4件)：

C01G23/04 C , H01M14/00 P , B01J35/02 J , H01L31/04 Z

Fターム (35件)：

4G047CA02 , 4G047CB05 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA13A , 4G169BA14A , 4G169BA14B , 4G169BA17 , 4G169BA22A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169CA00 , 4G169EA08 , 4G169FB14 , 4G169HA11 , 4G169HB02 , 4G169HD05 , 4G169HD06 , 5F051AA14 , 5F051FA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032BB05 , 5H032BB06 , 5H032BB09 , 5H032EE07 , 5H032EE15 , 5H032EE16 , 5H032HH02 , 5H032HH04 , 5H032HH06

引用特許：

出願人引用 (1件)

ナノ針状アナターゼTiO2結晶集積粒子と多孔質アナターゼTiO2結晶膜及びそれらの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-100949 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (5件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-323894 出願人：株式会社豊田中央研究所
パターン形成方法、および、このパターン形成方法により製造された電子デバイス、光学素子、光触媒性部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-283886 出願人：東陶機器株式会社
TiO2薄膜及び色素増感太陽電池用作用電極の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-339951 出願人：科学技術振興事業団

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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