特許
J-GLOBAL ID：200903065132788707

レジストパターンの微細化方法

発明者：
菅田 祥樹

菅田 祥樹 について

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金子 文武

金子 文武 について

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立川 俊和

立川 俊和 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302552
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107752
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、これを熱処理してホトレジストパターン間隔を収縮させる方法において、収縮処理後の水溶性樹脂被覆の除去に際し、溶解残留分の発生を防止し、良好なプロファイル及び満足すべき要求特性を備えた微細化パターンを得ることを目的とする。【解決手段】 基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、熱処理することによりホトレジストパターン間隔を収縮させ、次いで前記水溶性樹脂を完全に除去してレジストパターンを微細化するに当り、前記水溶性樹脂被覆中に水溶性ポリマー及び水溶性アミンを含有させる。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、熱処理することによりホトレジストパターン間隔を収縮させ、次いで前記水溶性樹脂を完全に除去してレジストパターンを微細化するに当り、前記水溶性樹脂被覆中に水溶性ポリマー及び水溶性アミンを含有させることを特徴とするレジストパターン微細化方法。
IPC (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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