特許
J-GLOBAL ID：200903065169910430
絶縁体及び半導体を共に形成するように有機材料をパターンニングする方法並びにそれによって形成されたデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 関根 毅
, 高橋 佳大
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-539684
公開番号（公開出願番号）：特表2008-519451
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
電子デバイスを製作する方法は、硬化した状態で半導体材料を形成する前駆体の材料の層を形成すること、及び、その前駆体の材料を光に対して露出させることを含む。その前駆体は、光に対して露出されたエリアで絶縁体を、及び、その光に対して露出されなかったエリアで半導体を形成するために、その光の存在下で加熱される。その光は、好ましくは、可視の範囲にある。適切な前駆体は、例えば、その半導体としてのペンタセン(204)及び絶縁体としての6,13-ペンタセンキノン(206)を形成するための6,13-ジヒドロ-6,13-(2,3,4,5-テトラクロロ-2,4-シクロヘキサジエノ)-ペンタセン(202)を含むこともある。その方法と一致して作られたデバイスもまた含まれる。
請求項（抜粋）：
電子デバイスを製作する方法であって、
硬化した状態で半導体材料を形成する前駆体の材料の層を形成するステップ;並びに
光に対して露出されたエリアにおいて絶縁体を、及び、該光に対して露出されなかったエリアで半導体を、形成するように、光及び周囲の酸素の存在下で該前駆体を加熱するステップ:
を含む、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/28 310L
, H01L29/28 100A
