特許

J-GLOBAL ID：200903048023467974

有機薄膜トランジスタ素子

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329505
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165427
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】機械的強度に優れ、且つトランジスタ性能に優れた有機薄膜トランジスタ素子を提供する。【解決手段】ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない2以上の有機半導体層で構成される有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない2以上の有機半導体層で構成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28

Fターム (40件)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-255669
  
• 光・電子機能材料およびその薄膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061839   出願人：三菱電機株式会社
• 有機半導体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-324201   出願人：旭化成株式会社
• 有機薄膜トランジスタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345004   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• オフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタおよびその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-555592   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor