光触媒酸化チタン膜の高速成膜方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-323117
公開番号（公開出願番号）：特開2006-130425
出願日： 2004年11月08日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】光触媒性能を有する酸化チタン膜を基板を加熱せずに高速成膜できる技術を提供する。【解決手段】第1、第2のチタンターゲット121、122に逆位相の交流電圧を印加し、チタンの発光光(500nm)の強度が15%以上20%以下の範囲になるように酸素ガスの流量を制御すると、加熱しなくても光触媒性能を有する酸化チタン膜を高速成膜することができる。交流電圧の周波数は10kHz〜100kHz、【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空槽内に第1、第2のチタンターゲットを配置し、前記真空槽内にスパッタリングガスと酸素ガスを導入し、前記真空槽内を大気圧よりも低くした状態で成膜対象の基板と前記第1、第2のチタンターゲットとを相対移動させ、前記第1、第2のチタンターゲットに同じ周波数で180°異なる位相の交流電圧を印加してプラズマを生成し、前記第1、第2のチタンターゲットを交互にスパッタリングし、前記第1のチタンターゲットからのスパッタリング粒子と酸素の反応生成物と、前記第2のターゲットからのスパッタリング粒子と酸素の反応生成物を交互に堆積させ、前記基板表面に酸化チタン膜を形成する酸化チタン膜製造方法であって、前記酸素ガスを導入しないときの前記プラズマ中の波長500nmのチタンの発光光の強度を予め測定しておき、その値を100%としたときに前記チタンの発光光の光強度が15%以上25%以下になるように流量制御しながら前記酸素ガスを導入し、前記第1、第2のターゲットへ交流電圧を印加する酸化チタン膜製造方法。

IPC (8件)：

B01J 35/02 , B01J 21/06 , B01J 37/02 , B01J 37/14 , B01J 37/34 , C01G 23/04 , C23C 14/08 , C23C 14/34

FI (9件)：

B01J35/02 J , B01J21/06 M , B01J37/02 301P , B01J37/14 , B01J37/34 , C01G23/04 C , C23C14/08 E , C23C14/34 C , C23C14/34 R

Fターム (32件)：

4G047CA02 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA48A , 4G069BB01C , 4G069BB02C , 4G069BC50C , 4G069BD02C , 4G069CA10 , 4G069DA05 , 4G069EA08 , 4G069ED02 , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G069FB02 , 4G069FB40 , 4G069FB58 , 4G069FC02 , 4G069FC04 , 4G069FC06 , 4G069FC08 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC16 , 4K029EA00 , 4K029EA05 , 4K029EA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

光触媒層の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-190730 出願人：富山県, 株式会社タカギセイコー
光触媒性酸化チタン膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-240931 出願人：東陶機器株式会社, 株式会社サーフテックトランスナショナル, 重里有三

審査官引用 (7件)

光触媒性酸化チタン膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-209278 出願人：東陶機器株式会社, 芝浦メカトロニクス株式会社
反応性スパッタリング装置のカスケ-ド制御
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-109755 出願人：ザビーオーシーグループインコーポレイテッド
結晶性酸化チタン薄膜の高速成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-155844 出願人：東陶機器株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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