有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371789
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179703
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】有機TFTにおいて、ゲート絶縁膜上に形成する有機薄膜のキャリア移動特性を向上することを課題とする。【解決手段】基体上の有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間に、有機シラン化合物から形成されキャリア輸送機能を有する単分子膜からなるアンカー膜とを備えたことを特徴とする有機TFTにより上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間に、有機シラン化合物から形成されキャリア輸送機能を有する単分子膜からなるアンカー膜とを備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28 , H01L29/78 618E

Fターム (43件)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-240449 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (3件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011871 出願人：日本電気株式会社
π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-050354 出願人：シャープ株式会社
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所

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