半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-003138
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190425
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】ECCビットのビット数を低減することができる半導体記憶装置を提供すること。半導体記憶装置の動作速度を向上させることができる技術を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置1は、メモリセルアレイ10と、ECCビットを格納するECCセル20と、ECCビットを算出するECC演算回路70とを備える。ECC演算回路70は、少なくとも1つの書き込みデータDWaとメモリセルアレイ10から読み出される読み出しデータDDRの一部からなる第1データDECC1に対して、第1ECCビットDE1を算出する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、 ECCビットを格納するECCセルと、前記ECCビットを算出するECC演算回路とを具備し、前記ECC演算回路は、少なくとも1つの書き込みデータと前記メモリセルアレイから読み出される読み出しデータの一部からなる第1データに対して、前記ECCビットである第1ECCビットを算出する半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 11/403

FI (2件)：

G11C11/34 371C , G11C11/34 371J

Fターム (8件)：

5M024AA40 , 5M024BB30 , 5M024BB33 , 5M024BB34 , 5M024JJ41 , 5M024MM09 , 5M024PP01 , 5M024PP07

引用特許：

出願人引用 (1件)

記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263398 出願人：甲府日本電気株式会社

審査官引用 (6件)

特開昭51-081531
特開昭62-242258
特開平1-194046

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