半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳丸達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-045316
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327437
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】データ入力数がECC処理の対象とするデータビット数に満たない場合の問題を解消出来、データ入力数がECC処理の対象とするデータビット数と等しい場合は、エラー訂正ビットの生成を高速にすることができる。【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、所定ビットのデータからエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路を備え、外部から導入されたデータとメモリセルに格納されたデータを用いてエラー訂正ビットを生成することを特徴とする。より詳細には、外部から導入された第1のデータを受けるライトアンプと、第1のデータと関連のあるアドレスに対応する第2のデータが格納された第1のメモリセル群と、第1及び第2のデータを基にしてエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路と、第1のデータを格納する第2のメモリセル群と、エラー訂正ビットを格納する第3のメモリセル群とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

所定ビットのデータからエラー訂正ビットを生成するエラー訂正ビット生成回路を備え、外部から導入されたデータとメモリセルに格納されたデータを用いて前記エラー訂正ビットを生成することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C29/00 , G11C11/401

FI (2件)：

G11C29/00 631Z , G11C11/34 371C

Fターム (9件)：

5L106AA01 , 5L106BB12 , 5L106FF04 , 5L106GG05 , 5M024BB30 , 5M024BB34 , 5M024MM09 , 5M024PP01 , 5M024PP07

引用特許：

出願人引用 (1件)

記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263398 出願人：甲府日本電気株式会社

審査官引用 (8件)

特開昭62-117198
半導体メモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032569 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
リフレッシュ間隔制御装置及び方法、並びにコンピュータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-013586 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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