特許

J-GLOBAL ID：200903065326653187

酸化膜のドライエッチングガス及びそのエッチング方法及びシリコンのクリーニング方法

発明者： 齋藤 洋司
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-328847
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172957
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上の酸化膜を容易にかつ効率的にドライエッチングするガス及びそのエッチング方法及びそのクリーニング方法を提供する。【解決手段】アルゴン、ヘリウム、クリプトン、キセノン、水素のプラズマ励起ガスとHFの混合ガスからなる酸化膜のドライエッチングガスで、酸化膜のドライエッチングに際し、プラズマ励起ガスとHFの混合ガス中のHF分圧が、0.001〜5Torrの範囲および該混合ガスによるエッチング温度が、0〜90°Cの範囲でドライエッチングする。さらにエッチング終了後、HFの供給を止めプラズマ励起ガスのみ導入する。

請求項（抜粋）：

プラズマ励起ガスとHFの混合ガスからなることを特徴とする酸化膜のドライエッチングガス。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/00 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/304 341 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286407   出願人：株式会社日立製作所
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225444   出願人：株式会社日立製作所