特許
J-GLOBAL ID：200903095874413190

面発光型光半導体素子及びその製造方法

発明者：
和田 浩

和田 浩 について

, 
上條 健

上條 健 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335967
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体DBRミラーの反射率を高くするとともに、発光領域に均一に電流を注入し、注入電流分布と光強度分布を一致させ、低閾値動作を可能にする面発光型光半導体素子及びその製造方法を提供する。【構成】 InP/GaInAsPを発光物質とする面発光型光半導体素子において、第1伝導型GaAs基板1と、このGaAs基板1上に結晶成長されるGaAs/AlAs多層膜からなる第1伝導型分布反射型ミラー2と、この第1伝導型分布反射型ミラー2上の一部に接着により接合されるInP/GaInAsPダブルヘテロ発光部3,4,5と、この発光部3,4,5上に接着により接合されるGaAs/AlAs多層膜からなる第2伝導型分布反射型ミラー6と、この第2伝導型分布反射型ミラー6に設けられる第2伝導型電極7と、前記第1伝導型GaAs基板1に設けられる第1伝導型電極8とを設ける。
請求項（抜粋）：
(a)第1伝導型GaAs基板と、(b)該GaAs基板上に結晶成長されるGaAs/AlAs多層膜からなる第1伝導型分布反射型ミラーと、(c)該第1伝導型分布反射型ミラー上の一部に接着により接合されるInP/GaInAsPダブルヘテロ発光部と、(d)該発光領域上に接着により接合されるGaAs/AlAs多層膜からなる第2伝導型分布反射型ミラーと、(e)該第2伝導型分布反射型ミラーに設けられる第2伝導型電極と、(f)前記第1伝導型GaAs基板に設けられる第1伝導型電極とを具備する面発光型光半導体素子。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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