特許
J-GLOBAL ID：200903065359679840

集積型窒化物半導体発光素子

発明者：
阿部 雅俊

阿部 雅俊 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126562
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324915
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 大面積でかつ発光効率の良い集積型窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 同一基板上に複数個の発光素子が並置し、半導体層はn型窒化ガリウム系化合物半導体層が分離溝によって分離されてなる長方形のn層と、発光層と、p層とにより構成し、n層の一方の長辺と2つの短辺は、それぞれ発光層及びp層の一方の長辺と2つの短辺と近接しており、n層の他方の長辺とp層の他方の長辺との間のn層上にp層の長辺と実質的に同一の長さを有するn側オーミック電極を、p層上のほぼ全面にp側オーミック電極を、p側オーミック電極上にp層の一方の長辺に沿ってpパッド電極をそれぞれ備え、p層の一方の長辺とn側オーミック電極との間隔が250μm以下とし、複数個の発光素子のうち、少なくとも一部の発光素子は、半導体層の最上面に、発光層からの光の一部を吸収して異なる波長を発光することが可能な蛍光体を有する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に複数個の発光素子が並置されており、前記複数個の発光素子はそれぞれ同一の材料からなる半導体層を有し、前記半導体層は、前記同一基板上に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層が分離溝によって分離されてなる長方形のn層と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体からなるp層とにより構成されてなる集積型窒化物半導体発光素子であって、前記n層の一方の長辺と2つの短辺は、それぞれ前記発光層及び前記p層の一方の長辺と2つの短辺と近接しており、前記n層の他方の長辺と前記p層の他方の長辺との間のn層上に前記p層の長辺と実質的に同一の長さを有するn側オーミック電極を、前記p層上のほぼ全面にp側オーミック電極を、前記p側オーミック電極上に前記p層の一方の長辺に沿ってpパッド電極をそれぞれ備え、前記p層の一方の長辺と前記n側オーミック電極との間隔が250μm以下であり、前記複数個の発光素子のうち、少なくとも一部の発光素子は、半導体層の最上面に、前記発光層から発光される光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を発光することが可能な蛍光体を有することを特徴とする集積型窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/62 CQF
FI (4件)：
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C ,  C09K 11/00 Z ,  C09K 11/62 CQF
Fターム (15件)：
4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB25 ,  5F041CB28 ,  5F041CB29 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (6件)
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