特許
J-GLOBAL ID：200903065369840991
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-115060
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309286
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 発光層から放射される光の外部取り出し効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 透光性基体上方に順次積層された第一導電型窒化物系半導体層と発光層と第二導電型窒化物系半導体層とを含み、上記第一導電型窒化物系半導体層には第一導電型電極層が電気的に接続され、上記第二導電型窒化物系半導体層には第二導電型電極層が電気的に接続されてなる窒化物系半導体発光素子およびその製造方法であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透光性基体上方に順次積層された第一導電型窒化物系半導体層と発光層と第二導電型窒化物系半導体層とを含み、前記第一導電型窒化物系半導体層には第一導電型用電極層が電気的に接続され、前記第二導電型窒化物系半導体層には第二導電型用電極層が電気的に接続されてなる窒化物系半導体発光素子。
Fターム (17件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA64
, 5F041CA74
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041DA16
, 5F041EE25
