特許
J-GLOBAL ID:200903065370532591
内蔵メモリアレイの自己検査回路および自己検査方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大日方 富雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-219624
公開番号(公開出願番号):特開2001-043698
出願日: 1999年08月03日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 救済用の置換メモリ行および置換メモリ列を持つ2次元救済方式のメモリアレイの自己テスト回路において、少ないハードウェアで高い救済効率を実現するための手法を提供する。【解決手段】 テストアドレスを発生するアドレス生成手段101と、メモリアレイ(102,MARY)に書き込むテストデータ生成手段101と、メモリアレイから読み出されるデータに対する期待値生成手段101と、メモリアレイから読み出されたデータと期待値との比較手段103と、検出された故障行アドレスと故障列アドレスの故障アドレス記憶手段と、上記故障アドレス記憶手段の更新が可能か否かを表す第1の状態記憶手段と、故障アドレス記憶手段に対する書き込みの有無を表す第2の状態記憶手段と、上記比較手段におけるデータ比較結果と上記第1及び第2の状態記憶手段の内容とから次の制御状態を決定する制御手段105とを設けるようにした。
請求項(抜粋):
故障ビットを含む故障メモリ行を救済するための複数の置換メモリ行もしくは置換ブロックと、故障ビットを含む故障メモリ列を救済するための複数の置換メモリ列もしくは置換ブロックとを備えたメモリアレイを有する半導体集積回路において、テストアドレスを発生するアドレス生成手段と、メモリアレイに書き込むテストデータを発生するテストデータ生成手段と、メモリアレイから読み出されるデータに対する期待値を発生する期待値生成手段と、メモリアレイから読み出されたデータと期待値とを比較する比較手段と、検出された故障行アドレスと故障列アドレスを記憶するための故障アドレス記憶手段と、上記故障アドレス記憶手段の更新が可能か否かを表す第1の状態記憶手段と、故障アドレス記憶手段に対する書き込みの有無を表す第2の状態記憶手段と、上記比較手段におけるデータ比較結果と上記第1及び第2の状態記憶手段の内容とから次の制御状態を決定する制御手段とを備えたことを特徴とする内蔵メモリアレイの自己検査回路。
IPC (12件):
G11C 29/00 671
, G11C 29/00 655
, G01R 31/28
, G06F 11/22 310
, G06F 11/22 350
, G06F 11/22 360
, G06F 12/08
, G06F 12/10
, G06F 12/16 310
, G06F 12/16 330
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (13件):
G11C 29/00 671 B
, G11C 29/00 655 S
, G06F 11/22 310 F
, G06F 11/22 350 F
, G06F 11/22 360 A
, G06F 12/08 J
, G06F 12/08 E
, G06F 12/10 A
, G06F 12/16 310 P
, G06F 12/16 330 A
, G01R 31/28 B
, G01R 31/28 V
, H01L 27/04 T
Fターム (55件):
2G032AA07
, 2G032AB01
, 2G032AC03
, 2G032AE08
, 2G032AE10
, 2G032AG01
, 2G032AG10
, 2G032AK14
, 2G032AK15
, 2G032AK19
, 5B005JJ01
, 5B005MM02
, 5B005NN31
, 5B005VV22
, 5B018GA03
, 5B018GA06
, 5B018HA21
, 5B018JA04
, 5B018JA12
, 5B018JA21
, 5B018JA23
, 5B018KA02
, 5B018KA13
, 5B018KA16
, 5B018KA18
, 5B018MA02
, 5B018MA03
, 5B018NA01
, 5B018NA04
, 5B018NA06
, 5B018QA13
, 5B018RA01
, 5B018RA02
, 5B018RA11
, 5B048AA19
, 5B048CC02
, 5B048CC11
, 5B048DD05
, 5B048DD10
, 5B048FF03
, 5F038DF05
, 5F038DT07
, 5F038DT08
, 5F038DT14
, 5F038DT18
, 5F038EZ20
, 5L106CC16
, 5L106CC17
, 5L106DD03
, 5L106DD08
, 5L106DD22
, 5L106DD23
, 5L106DD24
, 5L106DD25
, 5L106EE02
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
半導体試験方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-020558
出願人:富士通株式会社
-
特開平4-186600
-
半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-119627
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る