特許
J-GLOBAL ID：200903065407675088
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021987
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231878
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の実装工程及び封止工程を簡略化しコストの低減を図ると共に、装置の小型化を図る。【解決手段】 基板1の凹部1a内に搭載された第一の半導体チップ2aと、基板1上に凹部1aを覆うように搭載された第二の半導体チップ2bを備えた半導体装置において、第二の半導体チップ2bをバンプ5及び異方性導電フィルム6により基板1にフリップチップ接続すると共に、第一の半導体チップ2aを異方性導電フィルム6により封止する。これにより、基板1と半導体チップ2bの接続を完了すると同時に、半導体チップ2aの封止を完了することができるため、従来の実装工程と封止工程が簡略化され、コストを低減することができる。また、封止用のスペースを確保する必要がないため、半導体装置の小型化が図られる。
請求項（抜粋）：
凹部を有する基板と、この基板の上記凹部内に搭載された第一の半導体チップと、上記基板の上記凹部周縁に配設された熱可塑性樹脂よりなるフィルムと、裏面に突起電極を有し、上記基板上に上記凹部を覆うように搭載された第二の半導体チップを備え、上記第二の半導体チップは、上記突起電極及び上記フィルムにより上記基板にフリップチップ接続されており、上記第一の半導体チップは、上記フィルムにより封止されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
