特許
J-GLOBAL ID：200903065440882838

窒化物半導体素子

発明者：
柳本 友弥

柳本 友弥 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-402089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261393
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 Inを含む窒化物半導体を有する活性層を、p型クラッド層、n型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長440nm以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。【解決手段】 n型クラッド層25、p型クラッド層30と活性層12との間に、Inを含む窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層31、Inを含まない窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層32とをそれぞれ有することで、非対称な導波路構造とすることで、p型層13側にInを含む窒化物半導体を設けることによる結晶性の悪化、Inによる光の損失を第2の窒化物半導体層32を用いることで回避し、第1の窒化物半導体層31により導波路内の屈折率を大きくして、しきい値電流密度を下げる。
請求項（抜粋）：
活性層を、p型層とn型層とで挟みこむ構造を有し、p型層がp型クラッド層を有し、n型層がn型クラッド層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層がInを含む窒化物半導体を有し、n型クラッド層と活性層との間にIn混晶比がz>0である窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有し、p型クラッド層と活性層との間にIn混晶比uがz>uである第2の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C
Fターム (15件)：
5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA02 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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